応用物理学会シリコンテクノロジー分科会
第195回 研究集会のご案内（熱電変換材料開発とデバイス応用の最前線）

1. 日時 ：2016年11月14日(月) 13:00-17:00
2. 場所 ：産業技術総合研究所　つくば中央第一
　　　　　本部・情報棟6階　第１０会議室 （本部情報棟一階受付にお立ち寄りください。）
　　　　　〒305-8568 茨城県つくば市梅園１－１－１
　　　　　→ 入構手続き案内
3. オーガナイザー：遠藤和彦＜産総研＞ 、寒川誠二＜東北大学＞
4. テーマ ：熱電変換材料開発とデバイス応用の最前線
5. 参加費 ：分科会員 2000円、非分科会員 4000円


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詳 細

13:00 - 13:05 開会挨拶

13:05 - 13:50
[招待講演]「ケイ化物系熱電材料の開発動向」
　篠原 嘉一（物質・材料研究機構　エネルギー・環境材料研究拠点)

13:50 - 14:35
[招待講演]「ナノシリコン薄膜熱電材料」
　内田 紀行（産総研ナノエレクトロニクス部門）

14:35 - 15:20
[招待講演]「バイオテンプレート極限加工によるシリコンナノワイヤーの作製と熱電変換素子への展開」
　菊池 亜紀応、寒川 誠二（東北大学流体科学研究所）

（休 憩）

15:30 - 16:15
[招待講演]「Si/Ge量子ドット超格子の熱電特性」
　山本 淳（産総研省エネルギー部門）

16:15 - 17:00
[招待講演]「絶縁体上SiGe薄膜の合成技術と熱電変換応用」
　都甲 薫　（筑波大学）